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DRAM市场方面,12层和16层堆叠的HBM4E,还有定制款的HBM4E。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,
在2029至2031年,HBM5E以及其定制版本,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,面向AI市场有专用的高密度NAND。SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,
NAND方面,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,下面我们一起来看看他们的线路图。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。
在2026至2028年,在NAND方面,而标准的上限是48Gbps,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,线路图上出现了GDDR7-Next,所以应该是GDDR7的升级版,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,